HEXFET N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IRFH5020TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556203
- Артикул
- IRFH5020TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор Infineon 200V HEXFET в корпусе PQFN размером 5 x 6 мм. Оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 7.7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |