IRFH5015TRPBF, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8824368695
- Артикул
- IRFH5015TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 36 nC
- V(DS)
- 150 V
- Width
- 5mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 243 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Q(g) | 36 nC |
| V(DS) | 150 V |
| Width | 5mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 156 W |
| Series | HEXFET |
| Package | PQFN5X6 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 9.7 ns |
| Вес, г | 0.219 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 31 mOhm |
| Configuration: | Single |
| I(D)at Tc=25°C | 44 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Part # Aliases: | IRFH5015TRPBF SP001575670 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.6 W |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0255 Ом |