Транзистор полевой IRFH5015TRPBF MOSFET N-CH 150V 10A, 2014 г.в.
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070017865
- Артикул
- IRFH5015TRPBF
- Бренд
- International Rectifier
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор IRFH5015TRPBF — изделие серии IRFH501. Характеристики Обозначение: IRFH5015TRPBF Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 150V 10A Масса: 2 г Год выпуска: 2014 Производитель: IR Единица измерения: шт
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 6 mm |
| Package Length | 5 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PQFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 20 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | QFN |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 3.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 9.7 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3600 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 36 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.4 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 150 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 12 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2300@50V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 31@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 25.5@10V |