IRFH5010, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 125Вт 0.008Ом [DFN5X6-8L.]
![IRFH5010, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 125Вт 0.008Ом [DFN5X6-8L.]](https://static.epl-electro.ru/lib/656/DOC059656897.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001728918
- Артикул
- IRFH5010
- Бренд
- EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- PDFN-8_5x6
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Advanced SGT Technology
Цена по запросу
(от 68,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | PDFN-8_5x6 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Advanced SGT Technology |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 Ом/10А, 10В |