Моя заявка (0)

IRFH4255DTRPBF, Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

IRFH4255DTRPBF, Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047967608
Артикул
IRFH4255DTRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 399 ₽)
Минимальный заказ: 206 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 25V 64A/105A с 8-контактным разъемом PQFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationDual
Package Width6
Package Length5
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePQFN EP
Maximum IDSS (uA)1@Q 1|250@Q 2
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameQFN
Typical Fall Time (ns)15@Q 1|26@Q 2
Typical Rise Time (ns)61@Q 1|43@Q 2
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)31000@Q1|38000@Q2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)10@4.5V@Q1|23@4.5V@Q2
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13@Q 1|27@Q 2
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.1
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)64@Q1|105@Q2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1314@13V@Q1|2877@13V@Q2
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)3.2@10V@Q1|1.5@10V@Q2
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А64
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация