Моя заявка (0)
IRFH4226TRPBF, Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002245460
Артикул
IRFH4226TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Минимальный заказ: 224 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 25V 30A 8-контактный PQFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width6
Package Length5
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePQFN EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameQFN
Typical Fall Time (ns)8.1
Typical Rise Time (ns)35
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3400
Typical Gate Charge @ 10V (nC)32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)16@4.5V|32@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)14
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.1
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)30
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2000@13V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2.4@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)1.7@10V|2.6@4.5V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация