HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IRFH3707TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033352629
- Артикул
- IRFH3707TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.43
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon Strong IRFET оптимизировано для работы с низким RDS (on) и высоким током.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.43 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0124 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0094 Ом |