Моя заявка (0)
Транзистор полевой IRFD9120PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062671462
Артикул
IRFD9120PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
RoHS
Подробности
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
IRFD
Fall Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы третьего поколения Vishay Semiconductor обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.

Технические параметры

RoHSПодробности
Brand:Vishay/Siliconix
Series:IRFD
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:29 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:DIP-4
Transistor Type:1 P-Channel
УпаковкаTube
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Вид монтажаThrough Hole
Время спада29 ns
Pd - Power Dissipation:1.3 W
КонфигурацияSingle Dual Drain
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
ПроизводительVishay
Typical Turn-On Delay Time:9.6 ns
Торговая маркаVishay/Siliconix
Упаковка / блокHexDIP-4
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Канальный режимEnhancement
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.71 S
Время нарастания29 ns
Rds On - Drain-Source Resistance:600 mOhms
Категория продуктаМОП-транзистор
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Id - непрерывный ток утечки1 A
Размер фабричной упаковки2500
Rds Вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток-100 V
Минимальная рабочая температура-55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Vds - напряжение пробоя затвор-исток20 V
Типичное время задержки выключения21 ns

Техническая документация