IRFD9120PBF, Транзистор P-MOSFET 100В 1A 1.3Вт 0.6Ом [HVMDIP.] [EOL]
![IRFD9120PBF, Транзистор P-MOSFET 100В 1A 1.3Вт 0.6Ом [HVMDIP.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 64236
- Артикул
- IRFD9120PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.6
- Корпус
- HVMDIP-4
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- высокочастотный
Цена по запросу
(от 204 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы третьего поколения Vishay Semiconductor обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.
Технические параметры
| Вес, г | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.6А, 10В |