Моя заявка (0)
IRFD224PBF, Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001096855
Артикул
IRFD224PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Pin Count
4
Automotive
No
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 250 В 0,63А с 4-контактным разъемом HVMDIP

Технические параметры

PPAPNo
MountingThrough Hole
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Dual Drain
Package Width6.29(Max)
Package Length5(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageHVMDIP
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDIP
Typical Fall Time (ns)12
Typical Rise Time (ns)13
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)14(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Maximum Drain Source Voltage (V)250
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.63
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)260@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1100@10V
Пороговое напряжение на затворе1…2 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.63
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация