Транзистор полевой IRFD210PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671460
- Артикул
- IRFD210PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Подробности
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,38А, 1Вт, DIP4
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Подробности |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 4 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 6.29(Max) |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Package Height | 3.37(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | HVMDIP |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | IRFD210 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | DIP |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 17 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 8.9 |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Производитель | Vishay |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.2(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.2(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 140@25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 600mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |