IRFD120PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 1.3А 1.3Вт 0.27Ом [HVMDIP.] [EOL]
![IRFD120PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 1.3А 1.3Вт 0.27Ом [HVMDIP.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 5978
- Артикул
- IRFD120PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.6
- Корпус
- HVMDIP-4
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 0.8
Цена по запросу
(от 363 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,94А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/0.78А, 10В |