Моя заявка (0)

IRFBG30PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 3,1A 125Вт TO220AB

IRFBG30PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 3,1A 125Вт TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017527912
Артикул
IRFBG30PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Тип
MOSFET
Вес, г
2.08
Время
задержки включения/выключения-25/29 нс
Длина
10.41мм
Цена по запросу
(от 172 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г2.08
Времязадержки включения/выключения-25/29 нс
Длина10.41мм
Высота9.01мм
Ширина4.7мм
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
Мощностьрассеиваемая(Pd)-125 Вт
ОписаниеMOSFET 1000V N-CH HEXFET
УпаковкаTUBE, 1000 шт.
КатегорияМощный МОП-транзистор
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Тип каналаN
Емкость, пФ980
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительVishay
Температура, С-55…+150
Способ монтажаThrough Hole
Число контактов3
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Тип проводимостиN
Заряд затвора, нКл80
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Типичный заряд затвора при Vgs80 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds980 пФ при 25 В
Максимальное рассеяние мощности125 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Типичное время задержки включения12 нс
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток1000 V
Максимальный непрерывный ток стока3.1 A
Типичное время задержки выключения89 ns
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/1000
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное сопротивление сток-исток5 Ω
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм5000

Техническая документация