Моя заявка (0)

IRFBG20PBF, Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Through Hole

IRFBG20PBF, Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8645948883
Артикул
IRFBG20PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
3.5
Длина
10.41мм
Цена по запросу
(от 313 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г3.5
Длина10.41мм
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Высота9.01мм
КорпусTO-220AB
Ширина4.7мм
Mounting TypeThrough Hole
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Тип каналаN
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Особенностивысоковольтный
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Power Dissipation54 W
Typical Gate Charge @ Vgs38 nC @ 10 V
ПроизводительVishay
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1000 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Число контактов3
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance11 Ω
Maximum Continuous Drain Current1.4 A
Материал транзистораSI
Крутизна характеристики, S1
Количество элементов на ИС1
Типичный заряд затвора при Vgs38 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds500 пФ при 25 В
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное рассеяние мощности54 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Типичное время задержки включения9.4 ns
Максимальное напряжение сток-исток1000 V
Максимальный непрерывный ток стока1,4 A
Типичное время задержки выключения58 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное сопротивление сток-исток11 Ω
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)11.5 Ом

Техническая документация