Моя заявка (0)

IRFBF20SPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.7 А, 8 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IRFBF20SPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.7 А, 8 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010305124
Артикул
IRFBF20SPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Длина
10.67 mm
Серия
IRFBF
Высота
4.83 mm
Цена по запросу
(от 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 900V N-CH HEXFET D2-PA

Технические параметры

Вес, г1
Длина10.67 mm
СерияIRFBF
Высота4.83 mm
КорпусTO-263
Ширина9.65 mm
УпаковкаTube
СтруктураМОП-транзистор
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора38 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности54 W
Id - непрерывный ток утечки1.7 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8 Ом

Техническая документация