IRFBE30PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, 125Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017527911
- Артикул
- IRFBE30PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.7mm
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 162 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 800V Single N-Channel HEXFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.7mm |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.96 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IRFBE |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.49 mm |
| Корпус | TO220AB |
| Ширина | 4.7 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 30 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 33 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 78 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 78(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 78(Max)@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 310 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Время нарастания | 33 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 6 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 82 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.8 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 45(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 9.6(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 480 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 1800 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 16 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.1 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 190@25V |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 S |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.5 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3000 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |