IRFBE30LPBF, MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006255800
- Артикул
- IRFBE30LPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- IRFBE
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2.39
Цена по запросу
(от 294,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay IRFBE30L - это N-канальный силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds) 800 В.Напряжение затвор-исток (VGS) составляет 20 В.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | IRFBE |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-262-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 78 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |