IRFBE20PBF-BE3, MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047958935
- Артикул
- IRFBE20PBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- ECCN (US)
- EAR99
- Automotive
- No
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 1.8A
Технические параметры
| PPAP | No |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 54000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 530@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6500@10V |