IRFBE20PBF-BE3, Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015381032
- Артикул
- IRFBE20PBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- ECCN (US)
- EAR99
- Automotive
- No
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 1.8A
Технические параметры
| PPAP | No |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 54000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 530@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6500@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |