Моя заявка (0)

IRFBC40APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

IRFBC40APBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547014
Артикул
IRFBC40APBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Тип
MOSFET
Вес, г
2.77
Время
задержки включения/выключения-31/13 нс
Длина
10.41 mm
Цена по запросу
(от 190,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г2.77
Времязадержки включения/выключения-31/13 нс
Длина10.41 mm
СерияIRFBC
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Мощностьрассеиваемая(Pd)-125 Вт
ОписаниеMOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
УпаковкаTube
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Емкость, пФ1036
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Температура, С-55…+150
Способ монтажаThrough Hole
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Тип проводимостиN
Заряд затвора, нКл42
Категория продуктаМОП-транзистор
Размер фабричной упаковки50
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Крутизна характеристики S,А/В3.4
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А6.2
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±30 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во65*37*42.5/1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм1200
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4

Техническая документация