IRFB9N60APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070099207
- Артикул
- IRFB9N60APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.97
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 272,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.97 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.2 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 750 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |