Моя заявка (0)

IRFB7540PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRFB7540PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238618
Артикул
IRFB7540PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
StrongIRFET
Pin Count
3
Вес, г
1.95
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Минимальный заказ: 71 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFB7540PBF производства INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Он способен обеспечивать ток стока до 110 А и выдерживать напряжение сток-исток до 60 В. С мощностью в 160 Вт, этот транзистор отличается эффективной работой в широком диапазоне применений. Упакованный в надежный корпус TO220AB, IRFB7540PBF гарантирует длительную работу и стабильность в различных электронных устройствах. Используйте IRFB7540PBF для создания эффективных и надежных электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 110 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 160 Корпус TO220AB

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesStrongIRFET
Pin Count3
Вес, г1.95
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation160 W
Typical Gate Charge @ Vgs88 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance5.1 mΩ
Maximum Continuous Drain Current110 A
Крутизна характеристики, S110
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация