IRFB7537PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 173А, 230Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070140877
- Артикул
- IRFB7537PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Вид
- N-MOSFET
- Тип
- полевой
- Fall Time
- 84 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFB7537PBF производства INFINEON – надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа THT и способен выдержать ток стока до 173А при напряжении сток-исток 60В. Его мощность составляет 230Вт, что гарантирует высокую производительность в широком спектре применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0033 Ом обеспечивает эффективную и экономичную работу. Применение компонента IRFB7537PBF обещает улучшение характеристик устройств в области преобразования энергии, автоматики и управления двигателями. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 173 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 230 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0033 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Fall Time | 84 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 105 ns |
| Tradename | StrongIRFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.98 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220AB |
| Product Type | MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | SP001570828 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 142 nC |
| Упаковка: | Tube |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Технология: | Si |
| Ток стока, А | 173 |
| Pd - Power Dissipation | 230 W |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 84 ns |
| Мощность, Вт | 230 |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 82 ns |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Торговая марка: | Infineon/IR |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 173 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 190 S |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 142 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 173 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.75 mOhms |
| Время нарастания: | 105 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.7 V |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 230 W |
| Другие названия товара №: | IRFB7537PBF SP001570828 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 173 A |
| Коммерческое обозначение: | StrongIRFET |
| Размер фабричной упаковки: | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 60 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0033 |
| Типичное время задержки при включении: | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3.7 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 190 S |