IRFB7530PBF, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 195/295А, 375Вт, 0.002Ом [TO-220AB.]
![IRFB7530PBF, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 195/295А, 375Вт, 0.002Ом [TO-220AB.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000217605
- Артикул
- IRFB7530PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- низковольтные mosfets для сильноточных применений
Цена по запросу
(от 224 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Крутизна характеристики, S | 242 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.002 Ом/100А, 10В |