Моя заявка (0)

IRFB7530PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 295А, 375Вт, TO220AB

IRFB7530PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 295А, 375Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070137529
Артикул
IRFB7530PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
StrongIRFET
Pin Count
3
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 333,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesStrongIRFET
Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO220AB
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-канал
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ОсобенностиStrongIRFET
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs274 nC @ 10 V
Температура, С-55...+175
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current195 A
Крутизна характеристики S,А/В242
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А195
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В3.7

Техническая документация