IRFB7446PBF, MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005547918
- Артикул
- IRFB7446PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Series
- StrongIRFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFB7446PBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в THT-исполнении. С его помощью можно управлять мощными нагрузками благодаря току стока в 123 А и напряжению сток-исток, достигающему 40 В. Эта модель способна работать с мощностью до 99 Вт, при этом обладая впечатляюще низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0033 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери при работе. Упакованный в надежный корпус TO220AB, IRFB7446PBF гарантирует стабильность и долговечность в широком спектре электронных применений. Ищите данный компонент в нашем интернет-магазине под артикулом IRFB7446PBF для реализации ваших технических решений. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 123 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 99 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0033 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | StrongIRFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 99(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Continuous Drain Current | 123(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 99 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Operating Temperature Classification | Military |