StrongIRFET N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRFB7430PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014488353
- Артикул
- IRFB7430PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- StrongIRFET
- Тип
- MOSFET
- Military
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFB7430PBF от известного производителя INFINEON – это высокомощный компонент, предназначенный для монтажа в THT-технологии. С его помощью можно управлять током стока до 409 А, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Напряжение сток-исток составляет 40 В, а мощность достигает 375 Вт, что обеспечивает отличную производительность в широком диапазоне электронных схем. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0013 Ом минимизирует потери и повышает эффективность устройства. Тип N-MOSFET указывает на то, что транзистор имеет канал типа N, обеспечивая высокую скорость переключения. Упакованный в надежный корпус TO220AB, он гарантирует долговечность и стабильность. Приобретите IRFB7430PBF для ваших проектов, требующих надежного и мощного решения в области силовой электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 409 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 375 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0013 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | StrongIRFET |
| Тип | MOSFET |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-375 Вт |
| Описание | MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Process Technology | Single |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 14240 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | StrongIRFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 460 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 375000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 300 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 300@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Заряд затвора, нКл | 460 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.9 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 409 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 14240@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1.3@10V |
| Крутизна характеристики, S | 150 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 150 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 195 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 40 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.3 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3.9 |