IRFB5620PBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238901
- Артикул
- IRFB5620PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 25 nC
- V(DS)
- 200 V
- Width
- 4.83mm
- P(tot)
- 144 W
Цена по запросу
(от 254 ₽)
Минимальный заказ: 64 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Усилители класса D быстро становятся предпочтительным решением для профессиональныx и домашниx аудио- и видеосистем.
Технические параметры
| Q(g) | 25 nC |
| V(DS) | 200 V |
| Width | 4.83mm |
| P(tot) | 144 W |
| Series | - |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1.045 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Logic level | NO |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 72.5 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-220-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 25 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.5mOhm @ 15A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 144W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 14 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 73 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 144 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |