IRFB4710PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 75А 200Вт 0.014Ом [TO-220AB.] [EOL]
![IRFB4710PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 75А 200Вт 0.014Ом [TO-220AB.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/213/DOC001213536.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000037316
- Артикул
- IRFB4710PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Advanced Trench Technology
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Advanced Trench Technology |
| Крутизна характеристики, S | 35 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/45А, 10В |