IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]
![IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]](https://static.epl-electro.ru/lib/757/DOC043757735.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008513550
- Артикул
- IRFB4710PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 45A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 200W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6160pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 75A(Tc) |
| Крутизна характеристики, S | 35 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |