HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V, 3-Pin TO-220 IRFB4615PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977132
- Артикул
- IRFB4615PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 26 nC
- HTSUS
- 8541.29.0095
- V(DS)
- 150 V
Цена по запросу
(от 385,54 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный мощный МОП-транзистор Infineon StrongIRFET. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 26 nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| V(DS) | 150 V |
| Brand: | Infineon/IR |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Packaging: | Tube |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.69 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 39 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-220-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 35 A |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IRFB4615PBF SP001565882 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 144Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IRFB4615 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 21A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 144 W |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 35A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 144Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 35 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 144 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |