IRFB4510PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 62А, 140Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021971709
- Артикул
- IRFB4510PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 4.4 mm
- Height
- 15.65 mm
Цена по запросу
(от 274 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Infineon IRFB - это одноканальные МОП-транзисторы strong IRFET мощностью 100 В в корпусе до 220 В. Семейство мощныx моп-транзисторов strong IRFET оптимизировано для работы с низким RDS (при включении) и высоким током.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| Fall Time | 28 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 32 ns |
| Tradename | StrongIRFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.96 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 58 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 550 |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 62 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |