Моя заявка (0)

IRFB4332PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный TO220

IRFB4332PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067315929
Артикул
IRFB4332PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
99 nC
V(DS)
250 V
Width
4.82mm
Series
HEXFET
Цена по запросу
(от 325 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.

Технические параметры

Q(g)99 nC
V(DS)250 V
Width4.82mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
PackageTO-220
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
Вес, г3
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V33 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C60 A
Мощностьрассеиваемая(Pd)-390 Вт
Описание250V, 60A N-Channel MOSFET
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Емкость, пФ5860
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-3В
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation390 W
Typical Gate Charge @ Vgs99 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage250 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance33 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current60 A
Заряд затвора, нКл150
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А60
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±30 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*31*26/1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм29

Техническая документация