Моя заявка (0)

IRFB4321PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 83А, 330Вт, TO220AB

IRFB4321PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 83А, 330Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061940868
Артикул
IRFB4321PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.82mm
Series
HEXFET
Military
No
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 435,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.

Технические параметры

Width4.82mm
SeriesHEXFET
MilitaryNo
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1.97
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologyHEXFET
Transistor MaterialSi
Standard Package NameTO-220
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation350 W
Typical Gate Charge @ Vgs71 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance15 mΩ
Maximum Continuous Drain Current85 A
Maximum Power Dissipation - (mW)350000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)71
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)71@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??30
Maximum Drain Source Voltage - (V)150
Maximum Continuous Drain Current - (A)85
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)4460@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)15@10V

Техническая документация