Моя заявка (0)

IRFB4227PBFXKMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Through Hole

IRFB4227PBFXKMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046433293
Артикул
IRFB4227PBFXKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 475 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 200 В 65А (Tc) 330 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220AB

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-40°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 46A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)330W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4600 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А65
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт330
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0197 Ом