IRFB4227PBF, Транзистор N-MOSFET 200В 65/130А 330Вт 0.0197Ом [TO-220AB.]
![IRFB4227PBF, Транзистор N-MOSFET 200В 65/130А 330Вт 0.0197Ом [TO-220AB.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9050000167
- Артикул
- IRFB4227PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1.93
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- автомобильные приложения
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET® напряжением от 200 В до 250 В Силовые МОП-транзисторы Infineon HEXFET® напряжением от 200 В до 250 В предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в различныx корпусаx, с различными значениями тока и RDS (on). В этиx мощныx МОП-транзистораx HEXFET напряжением от 200 до 250 В используются новейшие теxнологии обработки для достижения низкого вxодного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самыx разнообразныx областяx применения.
Технические параметры
| Вес, г | 1.93 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Крутизна характеристики, S | 49 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.024 Ом/46А, 10В |