Моя заявка (0)

IRFB4115PBF-HXY, Транзистор N-MOSFET 150В 120А 178.6Вт 0.0115Ом [TO-220S.]

IRFB4115PBF-HXY, Транзистор N-MOSFET 150В 120А 178.6Вт 0.0115Ом [TO-220S.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001428301
Артикул
IRFB4115PBF-HXY
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
2.5
Корпус
TO-220
Структура
MOSFET
Пороговое напряжение на затворе
4V
Цена по запросу
(от 88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IRFB4115PBF-HXY, Транзистор N-MOSFET 150В 120А 178.6Вт 0.0115Ом [TO-220S.]

Технические параметры

Вес, г2.5
КорпусTO-220
СтруктураMOSFET
Пороговое напряжение на затворе4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт178.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)11.5mΩ@10V, 20A

Техническая документация