Моя заявка (0)

IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 180А [TO-220AB]

IRFB4110PBF, Транзистор, N-канал 100В 180А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062241146
Артикул
IRFB4110PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
150 nC
V(DS)
100 V
Width
4.82mm
P(tot)
370 W
Цена по запросу
(от 404,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор, N-канал 100В 180А [TO-220AB]

Технические параметры

Q(g)150 nC
V(DS)100 V
Width4.82mm
P(tot)370 W
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
PackageTO-220
R(thJC)0.402 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyHEXFET
Вес, г1.97
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V4.5 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C180 A
Мощностьрассеиваемая(Pd)-370 Вт
ОписаниеN-Channel 100 V 120A(Tc)370W(Tc)Through Hole TO-220AB
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Емкость, пФ9620
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation370 W
Typical Gate Charge @ Vgs150 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance5 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance4.5mО© @ 75A,10V
Заряд затвора, нКл210
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)370W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C120A
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А120
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во59*40*31/1000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм4.5

Техническая документация