IRFB4110GPBF, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014478511
- Артикул
- IRFB4110GPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.99
Цена по запросу
(от 920 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.99 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 370 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 370 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |