Моя заявка (0)

IRFB4020PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 18А, 100Вт, TO220AB

IRFB4020PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 18А, 100Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070114522
Артикул
IRFB4020PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.82mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1.96
Цена по запросу
(от 181,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 18А, 100Вт, TO220AB

Технические параметры

Width4.82mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1.96
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation100 W
Typical Gate Charge @ Vgs18 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance100 mΩ
Maximum Continuous Drain Current18 A

Техническая документация