IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]
![IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061910155
- Артикул
- IRFB38N20DPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.01
Цена по запросу
(от 240,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 54 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 43 A |