IRFB3307PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 75В, 130А, 250Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019805681
- Артикул
- IRFB3307PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- COMPONENTS
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 167,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.84 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO220AB |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Package Height | 9.02(Max) |
| Package Length | 10.67(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-МОП |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 63 |
| Typical Rise Time (ns) | 120 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 75 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 51 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5150@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.3@10V |
| Крутизна характеристики, S | 9.8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |