IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]
![IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062335243
- Артикул
- IRFB3306PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.82mm
- Series
- HEXFET
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 224,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.82mm |
| Series | HEXFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 230(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Continuous Drain Current | 160(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Operating Temperature Classification | Military |