Моя заявка (0)

Транзистор полевой IRFB3256PBF MOSFET N-CH 60V 75A 2.7mOm, 2013 г.в.

Транзистор полевой IRFB3256PBF MOSFET N-CH 60V 75A 2.7mOm, 2013 г.в.

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070017848
Артикул
IRFB3256PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Длина
10 mm
Высота
15.65 mm
Ширина
4.4 mm
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IRFB3256PBF — изделие серии IRFB325. Характеристики Обозначение: IRFB3256PBF Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 60V 75A 2.7mOm Корпус: TO-220 Масса: 2 г Год выпуска: 2013 Производитель: Infineon Единица измерения: шт

Технические параметры

Вес, г2
Длина10 mm
Высота15.65 mm
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада64 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора130 nC
Время нарастания77 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Другие названия товара №SP001577830
Id - непрерывный ток утечки210 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Типичное время задержки выключения55 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.88 S

Техническая документация