Моя заявка (0)

IRFB3207ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRFB3207ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048070390
Артикул
IRFB3207ZPBF
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Material
Si
Цена по запросу
(от 393 ₽)
Минимальный заказ: 194 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 75V 170A с 3-контактным (3+ язычка) разъемом TO-220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.82(Max)mm
Package Length10.66(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)68
Typical Rise Time (ns)68
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)120
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)120@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)20
Maximum Drain-Source Voltage (V)75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)55
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)170
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6920@50V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)4.1@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)3.3@10V
Крутизна характеристики, S280
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А170
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация