IRFB3206PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 210А, 300Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538942
- Артикул
- IRFB3206PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFETВ®
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
Цена по запросу
(от 163,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFETВ® |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | N-Channel |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Power loss | 300 W |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.96 |
| Длина | 10.67мм |
| Серия | HEXFET |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Max. current | 120 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 60 V |
| Высота | 9.02мм |
| Ширина | 4.83мм |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.02мм |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Тип канала | N |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Номер канала | Поднятие |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.2x10<sup>-7</sup> C |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 150uA |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Производитель | Infineon |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 210 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3mО© @ 75A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 300W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| Материал транзистора | SI |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 3 mΩ |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 120 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 6540 пФ при 50 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Типичное время задержки включения | 19 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 210 A |
| Типичное время задержки выключения | 55 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 3 мОм |