транзистор IRFB3077PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065795482
- Артикул
- IRFB3077PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.82mm
- Series
- HEXFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 1 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 210А, 370Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Series | HEXFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 75A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 370W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 370 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 160 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 210 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 370 W |
| Другие названия товара № | SP001575594 |
| Id - непрерывный ток утечки | 210 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |