IRFB13N50APBF, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017685334
- Артикул
- IRFB13N50APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 3.02
- Длина
- 10.41 mm
- Серия
- IRFB
- Высота
- 15.49 mm
Цена по запросу
(от 155,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Вес, г | 3.02 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IRFB |
| Высота | 15.49 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |