Моя заявка (0)

IRF9Z34NLPBF, Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

IRF9Z34NLPBF, Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238630
Артикул
IRF9Z34NLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 248 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 55V 19A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) на трубке TO-262

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)
Package Length10.67(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-262
Process TechnologyHEXFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)41
Typical Rise Time (ns)55
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3800
Typical Gate Charge @ 10V (nC)35(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)35(Max)@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)280
Typical Turn-On Delay Time (ns)13
Maximum Drain-Source Voltage (V)55
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Typical Gate to Drain Charge (nC)16(Max)
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Typical Gate to Source Charge (nC)7.9(Max)
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)19
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)620@25V
Typical Reverse Recovery Charge (nC)110
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)100@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация