IRF9Z24SPBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -7,7А, 60Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070179846
- Артикул
- IRF9Z24SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1.47
- Серия
- IRF9Z
- Упаковка
- Tube
- Transistor Polarity
- P Channel; Continuous Drain Current Id
Цена по запросу
(от 232,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V P-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1.47 |
| Серия | IRF9Z |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |